Kioxia พัฒนาของอุปกรณ์หน่วยความจำแฟลชแบบฝัง UFS เวอร์ชั่น 3.1 ด้วยเทคโนโลยี Quad-level-cell (QLC)

วันนี้ Kioxia Corporation ผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ ได้ประกาศเปิดตัวอุปกรณ์หน่วยหน่วยความจำแฟลชแบบฝัง Universal Flash Storage (UFS) เวอร์ชั่น 3.1 [1] ที่ใช้เทคโนโลยี quad-level-cell (QLC) แบบ 4 บิตต่อเซลล์สุดล้ำของบริษัท สำหรับการใช้งานที่ต้องการความหนาแน่นสูง เช่น สมาร์ทโฟนที่มีความล้ำสมัย เทคโนโลยี QLC ของ Kioxia จะช่วยให้สามารถออกแบบอุปกรณ์หน่วยความจำให้มีความหนาแน่นสูงสุดได้ในหนึ่งแพ็คเกจ

- KIOXIA UFS 220119 - ภาพที่ 1

อุปกรณ์ UFS ของ Kioxia สำหรับการพิสูจน์แนวคิด (PoC) เป็นอุปกรณ์ต้นแบบความจุ 512 กิกะไบต์ ซึ่งใช้หน่วยความจำแฟลช BiCS FLASH™ 3D ความจุ 1 เทระบิต (128 กิกะไบต์) ของบริษัท ที่มาพร้อมเทคโนโลยี QLC และได้มีการส่งตัวอย่างให้กับลูกค้าที่รับจ้างผลิตสินค้า (OEM) แล้วตอนนี้ อุปกรณ์พิสูจน์แนวคิดได้รับการออกแบบมาเพื่อตอบสนองความต้องการด้านประสิทธิภาพและความหนาแน่นที่สูงขึ้นของแอปพลิเคชันบนมือถือซึ่งใช้ภาพที่มีความละเอียดสูงขึ้น เครือข่าย 5G วิดีโอระดับ 4K ขึ้นไป และอื่น ๆ

ข่าวประชาสัมพันธ์ถูกโพสต์ หรือเขียนขึ้นโดย: BUSINESS WIRE

ทางทีม Digitalmore ไม่มีส่วนเกี่ยวข้องกับการเขียนข่าวหรือโพสต์ข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้ เว็บเป็นเพียงสื่อกลาง ที่เปิดให้เจ้าของข่าวประชาสัมพันธ์หรือตัวแทนโดยชอบธรรมได้โพสต์ด้วยตัวเอง

Related Posts

- Kioxia เปิดตัวอุปกรณ์หน่วยความจำแฟลชแบบฝัง UFS รุ่นแรกที่รองรับ MIPI M-PHY เวอร์ชัน 5.0

- Kioxia เปิดตัว EDSFF SSD ตัวแรกของอุตสาหกรรมที่ออกแบบด้วยเทคโนโลยี PCIe 5.0

- Kioxia เปิดตัวการจัดเก็บข้อมูล PCIe® 4.0 Storage Class Memory SSDs

- Kioxia ขยายขีดจำกัดด้านประสิทธิภาพด้วยหน่วยความจำแฟลชแบบฝัง UFS เวอร์ชัน 3.1 ใหม่